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第三代半導(dǎo)體材料之碳化硅

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價(jià)鍵為主結(jié)合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結(jié)構(gòu)均由Si-C四面體以不同的堆積方式構(gòu)成。目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質(zhì)異型晶體結(jié)構(gòu)有200多種，其中六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導(dǎo)體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料近1...

ITO靶材常壓燒結(jié)工藝進(jìn)展

20世紀(jì)90年代初興起了一種新的靶材燒結(jié)方法-常壓燒結(jié)法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對(duì)ITO靶材的素坯進(jìn)行燒結(jié)，通過(guò)對(duì)燒結(jié)過(guò)程中各因素的控制，來(lái)有效控制ITO素坯晶粒的生長(zhǎng)，從而達(dá)到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化，該方法對(duì)粉末的燒結(jié)活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，濺射到平板上的拼縫就越少，價(jià)值也越高。國(guó)外可以做寬1200毫米、長(zhǎng)近3000毫米的單塊靶材，國(guó)內(nèi)只能制造不超過(guò)800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術(shù)方案中，將粒...

等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐主要包含以下三個(gè)基本過(guò)程

等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。由于PECVD技術(shù)是通過(guò)應(yīng)氣體放電來(lái)制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。一般說(shuō)來(lái)，采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時(shí)，薄膜的生長(zhǎng)主要包含以下三個(gè)基本過(guò)程：首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；其二，各種活性基團(tuán)向薄膜生長(zhǎng)...

ITO靶材燒結(jié)工藝

ITO(氧化銦錫)是制備ITO導(dǎo)電玻璃的重要原料。ITO靶材經(jīng)濺射后可在玻璃上形成透明ITO導(dǎo)電薄膜，其性能是決定導(dǎo)電玻璃產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)效率、成品率的關(guān)鍵因素。ITO靶材性能的重要指標(biāo)是成分、相結(jié)構(gòu)和密度，ITO濺射靶材的成分為In2O3+SnO2，氧化銦與氧化錫成分配比通常為90:10(質(zhì)量比)，在ITO靶材的生產(chǎn)過(guò)程中必須嚴(yán)格控制化學(xué)氧含量及雜質(zhì)含量，以確保靶材純度。ITO靶材制備流程ITO靶材的成型工藝制備出成分均勻、致密度較高的初坯，對(duì)經(jīng)過(guò)低溫?zé)崦撝蜔Y(jié)后工藝處理得...

ITO靶材應(yīng)用及發(fā)展前景

氧化銦錫(ITO)晶體結(jié)構(gòu)氧化銦錫(ITO)是通過(guò)用錫摻雜In2O3而形成的n型半導(dǎo)體，晶體結(jié)構(gòu)是In2O3結(jié)構(gòu)，其中In2O3結(jié)構(gòu)具有兩種形態(tài)，一種是立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)，另一種是六方剛玉結(jié)構(gòu)。立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)是常見(jiàn)的In2O3結(jié)構(gòu)，如圖1所示。當(dāng)將氧化錫摻雜到氧化銦中以形成氧化銦錫固溶體時(shí)，一種高度簡(jiǎn)并的n型半導(dǎo)體得以產(chǎn)生，其中一定數(shù)量的In3+位置被Sn4+取代了，導(dǎo)致ITO晶格中出現(xiàn)大量點(diǎn)缺陷，同時(shí)產(chǎn)生大量自由電子，點(diǎn)缺陷和自由電子可充當(dāng)電場(chǎng)下的載流子，因此表現(xiàn)出了優(yōu)異的導(dǎo)電...

分析真空燒結(jié)爐的故障現(xiàn)象、故障原因和處理辦法

真空燒結(jié)爐是一款特別適合硬質(zhì)合金行業(yè)的性能智能化電爐。該燒結(jié)爐是一種間歇式氣體（真空）保護(hù)爐，按照燒結(jié)工藝時(shí)間的需要可以單套電源配置多臺(tái)電爐，分別對(duì)單個(gè)爐子進(jìn)行通電升溫和段電降溫，實(shí)現(xiàn)連續(xù)工作。那么該設(shè)備在日常中應(yīng)該如何檢修？出現(xiàn)故障后又應(yīng)該如何進(jìn)行有效的處理？下面請(qǐng)跟隨皓越一起來(lái)學(xué)習(xí)吧！真空燒結(jié)爐的日常檢修：1、對(duì)有氣鎮(zhèn)功能的其空泵，應(yīng)在每日開(kāi)爐前檢查并根據(jù)需耍開(kāi)啟30min，以排除泵油中的水分。2、經(jīng)常檢查冷卻水、壓縮空氣、液壓系統(tǒng)的壓力以及冷卻水的流動(dòng)情況。3、對(duì)爐門(mén)的...

AZO靶材 熱壓制備工藝

透明導(dǎo)電氧化物（TransparentConductiveOxide，TCO）是一種在可見(jiàn)光光譜范圍（380nm＜λ＜780nm）透過(guò)率很高且電阻率較低的薄膜材料，由于其良好的光電性能在節(jié)能玻璃、熱窗、電磁屏蔽窗、觸摸屏、液晶面板、太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管等領(lǐng)域，被作為智能窗口材料、加熱導(dǎo)體、電磁屏蔽材料、薄膜電容材料、透明導(dǎo)電電極等而得到廣泛的應(yīng)用。TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相應(yīng)的復(fù)合多元化合物半導(dǎo)體材料。電子工業(yè)的飛速發(fā)展對(duì)透明導(dǎo)電...

真空燒結(jié)爐的主要優(yōu)點(diǎn)有哪些你是否清楚？

真空燒結(jié)爐是一種瓷坯在真空條件下燒結(jié)的方法，氧化物陶瓷坯體的氣孔中含有的水蒸氣、氫、氧等氣體在燒結(jié)過(guò)程中借溶解、擴(kuò)散沿著坯體晶界或通過(guò)晶?？蓮臍饪字幸莩?。但其中的一氧化碳、二氧化碳，特別是氮，由于溶解度較低，不易從氣孔中逸出，致使制品內(nèi)含有氣孔，致密度下降。如將坯體在真空條件下燒結(jié)，則所有氣體在坯體尚未*燒結(jié)前就會(huì)從氣孔中逸出，使制品不含氣孔，從而提高制品的致密度。在高溫和一定的真空度下，使具有一定形狀的陶瓷坯體經(jīng)物理化學(xué)過(guò)程變?yōu)橹旅?、?jiān)硬、體積穩(wěn)定、具有一定性能的燒結(jié)體。物...